Рисунок 2.4 - Схема ипульсного усилителя
При подаче напряжения на конденсатор динистор Vs1 закрыт, следовательно, максимальное напряжение на конденсаторе - 
Транзистор VT4 выбираем по напряжению коллектор-эмиттер, большему чем напряжение питания, и току эмиттера, большему тока питания. Этим условиям удовлетворяет транзистор КТ814Б с параметрами Uкэ=40(В), Uбэ=5(В), Ik=1.5(A).
Емкость конденсатора определяем из соотношения:
Отсюда выбираем Конденсатор типа К5016-20В-56мкФ
Зададимcя током базы в 10(мА), примем Um =6 (B), тогда 
мощность резистора – 
(Вт), выбираем резистор типа МЛТ-0,25Вт-680Ом
Определим параметры трансформатора:
; 
Выбираем импульсный трансформатор на ферритовом кольце типа К20х10х1500 из феррита марки 1500Нм. Параметры ферритового кольца:
Начальная магнитная проницаемость – Mg=1500 Гн/м.
Фазная длина магнитной линии lc=43.55 нм.
Площадь поперечного сечения Sc=22.02 
Находим индуктивность намагничивания сердечника трансформатора:
где 
- ток намагничивания сердечника трансформатора.
Находим количество витков первичной и вторичной обмоток трансформатора:
витков.
.
Выбираем динистор КН102А с параметрами: 
Транзистор регулирующего блока принимаем по напряжению и току источника питания КТ102А.
Резистор R10 определим из соотношения:
,
задавшись током коллектора 
получим:
Определим мощность рассеяния на резисторе R10:
Выбираем резистор МЛТ-1Вт-22Ом
Максимальное напряжение на транзисторе VT5 – 10(B), поскольку 
то 
. Задавшись током базы в 10 (мА), получим
определим мощность рассеяния: 
Выбираем резистор R9 типа МЛТ-0.125 на 510 (Ом).
Зададимся током управления в 0,05(А), тогда
Принимаем Rэ=220(Ом). Мощность рассеяния на сопротивлении: 
Выбираем R7 типа СПОЕ на 220 (Ом)
Другое по теме:
Построение вычислительных сетей на основе технологий CISCO Компания Horns&Hoofs, занимающаяся продажами товаров широкого потребления в регионе, занимает три корпуса. Все здания имеют различные заземления. Каждое здание имеет только одно заземление. Пол покрыт керамической плиткой, если тольк ...