Технология цифровой связи

Проектирование цифровой линии

Описание работы устройства

При включении устройства на дисплей выводится температура, записанная ранее в EEPROM (самое первое значение после прошивки - 16). При вращении энкодера по часовой стрелке ее значение увеличивается, против - уменьшается. Далее микроконтроллер считывает температуру с датчика и вычисляет полученную ошибку. В зависимости от ошибки он открывает заслонку. В данном проекте реализовано пропорциональное регулирование.

Рис.8

На рисунке 8 приведена зависимость открытия заслонки от рассогласования. В нашем случае 1900 мкс - соответствует ее полному открытию, 1100 мкс-полному закрытию. В скобках указаны числа, которые будут записываться в регистр, управляющий скважностью, для получения соответствующих сигналов ШИМ. E,◦С - ошибка, равная Тзад - Тизм. Период ШИМ определяется значением в регистре PR2 и может быть вычислен по формуле:

Тшим = (PR2+1) *4*Тosc* (коэффициент предделителя TMR2)

Таким образом для получения периода в 20 мс, необходимо в PR2 записать 249. Скважность ШИМ определяется битами в регистре CCPR1L, CCP1CON<5: 4>. Для 10-разрядного ШИМ старшие 8 бит сохраняются в CCPR1L, младшие 2 бита в CCP1CON<5: 4>. Длительность высокого уровня определяется формулой: Тимп= (CCPR1L: CCP1CON<5: 4>) * Тosc* (коэффициент предделителя TMR2). Поэтому при загрузке 55 в CCPR1L: CCP1CON<5: 4> мы получим Тимп=1,1мс, а при 95 Тимп=1,9 мс. Коэффициент регулирования равен К=∆Т/Е, ∆Т=95-55=40, Е=4, тогда К=10. В разработанной программе предусмотрено изменение коэффициента регулирования и максимальной ошибки Е. Путем выбора параметров регулирования П-регулятора можно существенно уменьшить установившуюся ошибку регулирования, однако ее полное устранение не представляется возможным даже теоретически.


Другое по теме:

Разработка архитектуры, принципиальной схемы и конструкции специализированного микроконтроллера Микропроцессорные интегральные схемы (МП ИС) и микро-ЭВМ, построенные на их основе, явились следствием бурного развития микроэлектроники, позволившего в одном кристалле полупроводника размещать сложные вычислительные структуры, содержащие десят ...