У современных биполярных транзисторов коэффициент передачи тока h21э больше 100, т. е. коллекторный ток в 100 раз больше базового.
|
Если и дальше увеличивать ток базы, то потенциальный барьер эмиттерного перехода будет уменьшаться до тех пор, пока не исчезнет совсем. Электроны смогут беспрепятственно переходить из эмиттера в базу и также беспрепятственно захватываться полем коллектора. Падение напряжения на переходе коллектор эмиттер будет уменьшаться (при увеличении тока базы и неизменном сопротивлении нагрузки и напряжении питания) до тех пор, пока не уменьшится почти до нуля.
Такой режим работы транзистора, несмотря на то, что он требует повышенного тока управления (так как коэффициент h21э уменьшается), очень широко используется в цифровой технике.
Полевые транзисторы
Полевые транзисторы - это полупроводниковые приборы, сопротивление канала которых изменяется в широких пределах под воздействием приложенного к управляющему выводу (затвору) напряжения. Таким образом, полевые транзисторы, в отличие от биполярных, управляются не током, а напряжением. Ток же, текущий через управляющий вывод (ток утечки затвора IУТ), крайне мал, и у современных полевых транзисторов его смело можно приравнять к нулю.
В зависимости от строения своих "внутренностей" полевые транзисторы делятся на две группы:
с управляющим p-n-переходом (т. е. изоляция затвора выполнена в виде p-n-перехода);
с изолированным затвором (затвор изолирован диэлектриком). Кроме того, транзисторы с изолированным затвором бывают со встроенным или индуцированным каналом.
Рассмотрим принцип действия полевого транзистора с управляющим р-п-переходом (рис. 2.11). Транзистор, изображенный на нем, называется п-канальным, и среди биполярных транзисторов ему соответствует транзистор структуры n-p-п. Вывод эмиттера биполярных транзисторов у полевых называется истоком, база - затвором и коллектор - стоком. На этом сходство этих двух классов полупроводниковых приборов оканчиваются, дальше начинаются одни различия.
Рис. 2.11.
Полевой транзистор с управляющим р-п переходом (п-канал): а
- строение; б - упрощенная схема строения; в - вольт-амперная характеристика
Области стока и истока у полевых транзисторов изготавливают из сильно легированных полупроводников, т. е. из тех, у которых очень большой избыток основных носителей тока - электронов для n-проводника и дырок - для р-проводника. На рисунке эту самую "сильную легированность" обозначают значком "+" после обозначения типа полупроводника (п+, р+). Перейти на страницу: 1 2 3 4 5
Другое по теме:
Контроль распределения тепловых потоков в окружающей среде Обеспечение контроля распределения тепловых потоков в окружающей среде имеет большое значение для многих отраслей хозяйства нашей страны и требует использование современных методов и средств автоматизации. Система состоит из двух взаимос ...