Технология цифровой связи

Помехоустойчивость ЛЭ определяется стандартными значениями величин

Помехи с уровнем напряжения менее 0,4 В не могут привести к изменению состояния ЛЭ.

Переход ЛЭ в усилительный режим (режим переключения) характеризуется значением напряжения переключения. Для базового ЛЭ серии SN74 стандартное значение напряжения переключения .

Анализ схемы рис.6 показывает, что типовые значения выходного напряжения равны и , поэтому типовое значение помехоустойчивости для базового ЛЭ серии SN74 определяется значениями величин

Стандартные динамические параметры ЛЭ характеризуются временами задержки при переходе выходного сигнала с высокого уровня на низкий, - при переходе выходного сигнала с низкого уровня на высокий или средним временем задержки сигналов в ЛЭ Задержки ипоказаны на рис.8 (- эквивалентный входной сигнал ЛЭ, учитывающий взаимодействие физических входных сигналов ина рис.6; - выходной сигнал ЛЭ). Для стандартной серии SN74 . Указанное значение позволяет использовать триггеры данной серии при частоте переключения . Для других серий ИС, построенных на модифицированных базовых схемах ТТЛ, эти параметры равны: серия SN74L - ,; серия SN74H - ,; серия SN74S - ,.

Упомянутые выше серии ИС ТТЛ, в названиях которых используется префикс SN, разработаны фирмой TI. Перечисленные ИС помимо фирмы-разработчика выпускаются многими другими фирмами -изготовителями. Другие фирмы-изготовители используют иные префиксы для идентичных ИС, поэтому в справочниках по ИС и учебной литературе префикс часто опускается.

В частности, названия цифровых ИС, включенных в библиотеку программы Micro-Cap (Component

>

Digital

Library

), не содержат префикса, обозначающего фирму изготовителя.

1. Изучить:

а) модели биполярных транзисторов и схемы замещения ключей в статических состояниях,

б) влияние резистивной нагрузки (параллельно транзистору или коллекторному резистору) на токи и напряжения в ключах в статических состояниях,

в) физику процессов при переключении транзистора из запертого состояния в насыщенное (задержка отпирания, фронт включения, накопление заряда) и из насыщенного состояния в запертое (рассасывание избыточного заряда, фронт выключения),

г) влияние коллекторной емкости и емкости нагрузки на переходные процессы в ключах,

д) особенности статических режимов и переключения транзисторов в ключе с управляющим транзистором (рис.2),

е) принцип работы базового логического элемента ТТЛ (рис.6), его свойства и характеристики (физика работы в статических состояниях и в режиме переключения, реализуемая логическая функция, стандартные статические и динамические параметры, работа при подключении нагрузки и сохранение работоспособности при ее подключении).

2. Исходные данные для выполнения расчетов (параметры элементов схем рис.1 и рис.2, в скобках приведены имена параметров моделей биполярных транзисторов, используемые в программе Micro-Cap): Перейти на страницу: 1 2 3 4 5

Другое по теме:

Инженерные коммуникации Естественная насыщенность почвы водой, как правило, не совпадает с нужной для роста и развития растений влажностью и во многих случаях является серьезной помехой для строительной деятельности человека. Поэтому необходимо искусственно создавать и ...