Рис. 1. Технологический маршрут изготовления топстопленочной ГИС:
1 - обожженная керамическая подложка с системой сквозных отверстий; 2 - навесной конденсатор; 3 - навесной транзистор с жесткими выводами; 4 - резистор; 5 - толстопленочный конденсатор
Расчетная часть
| ВАРИАНТ 28 |
| Материал высокоглиноземистая керамика |
| Размеры заготовки S=60×48 мм |
| Типоразмер платы №9; 10×16 мм |
| Толщина платы l=0,6 мм |
| Годовой план N=500 тыс. штук |
| Выход годного по обработке V1 =78% |
| Выход годного по плате V2=81% |
1) Определение суммарного припуска на обработку поверхности заготовки:
Z=0,1мм
2) Определение исходной толщины заготовки
lΣ = l + Z,
lΣ = 0,6 + 0,1=0,7мм=0,0007м
3) Определение исходной массы заготовки
m Σ = lΣ ·S·ρ,
m Σ = 0,7 ·0,06·0,048·2600=0,0052416кг=5,2416г=5241,6мг
4) Определение массы пластины или подложки после обработки поверхности
m = l ·S·ρ,
m = 0,6 ·0,00288·2600=0,0044928кг=4,4928г=4492,8мг
5) Определение количества плат, получаемых из одной подложки, или количества кристаллов, получаемых их одной пластины n.
n=18
6) Определение количества материала, необходимого для выпуска годового плана
6.1) определение количества подложек или пластин, запущенных на разделение
N1=N/(V2·n),
N1=500000/(0,81·18)= 34294,
6.2) определение количества заготовок, запущенных на обработку
N2=N1/V1,
N2=34 294/0,78=43967
7) Определение исходной массы материала
Mи = N2·mΣ,
Mи = 43967·0,0052416=230.457427кг,
8) Определение полезной массы материала
Mп = (N·m)/n,
Mп = (500000·0,0044928)/18=124,8кг,
9) Определение коэффициента использования материала
Ким = Mп / Mи,
Ким = 124,8 / 230,457427=0.54153169. Перейти на страницу: 1 2
Другое по теме:
Электрические схемы технологического контроля и сигнализации Оптимизация технологических процессов, повышение их рабочих параметров до критических и сверхкритических, сложные взаимосвязи между различными технологическими участками, не допускающими отклонения в работе отдельных агрегатов от предписанных ре ...