Гибридная интегральная микросхема - это интегральная микросхема, в которой наряду с выполненными на поверхности подложки пленочными элементами используются и навесные микроминиатюрные элементы - транзисторы, конденсаторы, дроссели, пленочное исполнение которых затруднено.
Основу гибридной ИМС составляет пленочная схема: пластина диэлектрика, на поверхности которого нанесены в виде пленок толщиной порядка 1 мкм компоненты схемы и межсоединения. Этим способом легко выполнимы пленочные проводниковые соединения, резисторы, конденсаторы. Резисторы больших номиналов выполняют в виде меандра (рис. 5, а). что обеспечивает минимальную площадь, занимаемую элементом. Сопротивление таких таких резисторов может достигать 105 Ом.
рис.5. Гибридные ИМС.
Пленочные конденсаторы имеют структуру, разрез которой представлен на рис. 5, б. Конденсатор состоит из трех пленочных слоев: металл - диэлектрик - металл. За счет малой толщины диэлектрика емкость пленочных конденсаторов достигает 10 000 пФ и более.
Дроссели могут быть выполнены в виде спирали (рис. 4, в); они имеют небольшую индуктивность, не более 10 мкГн. Бескорпусные полупроводниковые приборы, конденсаторы больших номиналов и магнитные элементы в гибридных ИМС выполняются навесными: эти элементы приклеиваются к определенным местам платы, осуществляются их контактирование с элементами пленочной схемы, затем плата с пленочной схемой и навесными элементами помещается в герметизированный корпус, имеющий определенное количество выводов.
Гибридные ИМС обладают следующими основными свойствами:
. наиболее предпочтительными элементами являются пассивные компоненты (резисторы и конденсаторы), число навесных элементов в ИМС должно быть небольшим, так как их установка имеет большую трудоемкость.
. Точность воспроизведения параметров в гибридных ИМС значительно выше, чем полупроводниковых. Возможна подгонка номиналов резисторов и конденсаторов (например, путем соскабливания части пленки).
. Технология гибридных ИМС значительно проще технологии полупроводниковых. Такие ИМС делятся на тонкопленочные, в которых пленки создаются методом термовакуумного напыления, и толстопленочные, в которых пленки получают путем нанесения пасты через трафарет с последующим спеканием в печи. Технология толстопленочных ИМС сравнительно проста, и их выпуск может быть налажен в стенах лаборатории или производственного участка.
. Стоимость подготовки к выпуску нового типа гибридных ИМС меньше, чем полупроводниковых, поэтому экономически оправдан выпуск гибридных ИМС малыми узкоспециализированными сериями (десятки и даже единицы).
. Массогабаритные показатели гибридных ИМС хуже, чем у полупроводниковых, и число их компонентов в одной схеме обычно не больше нескольких десятков.
Другое по теме:
Перспективы развития мобильных технологий в Украине Прошло не более 3 десятилетий с момента появления мобильных телефонов, но мобильная связь подверглась существенным изменениям. Системы первого поколения, основанные на аналоговом принципе, использовались исключительно для телефонной связи. ...