Схема рис. 16, в также может быть рассчитана как две предыдущие. однако коэффициент усиления рассматриваемого усилителя получается меньшим, так как местная отрицательная обратная связь во втором каскаде, обусловленная резистором R3, остается не скомпенсированной, что является недостатком данной схемы.
В) Если для питания усилителя имеется дополнительный источник с незаземленным положительным полюсом (при использовании транзисторов типа р - n - р), то можно применить очень эффективную двухкаскадную схему стабилизации , приведенную на рис. 17, а.
Рис. 17. Двухкаскадные схемы стабилизации режима с дополнительным источником питания.
а) с потенциометрическим делителем;
б)с потенциометрическим делителем и дополнительной ёмкостью;
в) получение дополнительного напряжения от общего источника питания с незаземленными полюсами.
В этой схеме глубокая отрицательная обратная связь по постоянному току осуществляется с помощью делителя R3 R4. Избыточное отрицательное напряжение U3 , снимаемое с эмиттера транзистора Т2, компенсируется с помощью дополнительного источника с э. д. с. Е, при этом автоматически устанавливается такой режим , что
= U0Б1 .
В целях уменьшения эмиттерной емкости С2 в схеме стабилизации можно применить дополнительную развязку (рис.17, б).
Полевые транзисторы.
Режим работы полевых транзисторов значительно меньше зависит от температуры, поэтому обеспечить его стабилизацию проще.
Для обеспечения необходимого смещения на затвор и одновременного повышения стабильности режима можно применить схему автоматического смещения (рис. 18).
Рис.18. Схема автоматического смещения на затвор.
При выбранном рабочем режиме (IС0 и UЗ0) необходимая величина сопротивления резистора автоматического смещения: R3 = UЗ0 / IС0.
Вследствие большой величины входного сопротивления транзистора и малого обратного тока затвора IЗ0 резистор утечки R2 может быть взят с большим сопротивлением, достигающим десятка Мом. Максимальная величина его сопротивления ограничивается допустимой нестабильностью режима, вызываемой изменением обратного тока затвора.
Для повышения эффективности стабилизации режима полевого транзистора необходимо увеличивать глубину отрицательной обратной связи по постоянному току. Однако в схеме на рис. 18. При этом также будет возрастать смещение на затвор, и рабочая точка попадет в область нижнего изгиба проходной характеристики. Чтобы устранить этот недостаток, на затвор транзистора следует подать дополнительное отпирающее напряжение, которое в простейшем случае может быть получено с помощью потенциометрического делителя R1, R2 (рис. 19.).
Рис.19. Схема с повышенной температурной стабильностью режима.
Эта схема по принципу действия аналогична схеме стабилизации режима биполярного транзистора с отрицательной обратной связью по постоянному току (рис. 15, б).
В ряде случаев практически полезной может оказаться схема с плавающим режимом (или схема с автоматическим смещением за счет тока затвора, рис. 20.).
Рис. 20. Схема включения полевого транзистора с плавающим режимом.
В этой схеме исходный режим соответствует нулевому смещению на затворе UЗО = 0, что обеспечивает работу с максимальным током стока и с максимальной крутизной.
Температурная нестабильность тока стока в режиме плавающего смещения имеет такую же величину, как и при фиксированном смещении. Для рассматриваемой схемы существенное значение имеет правильный выбор емкости разделительного конденсатора Ср . Перейти на страницу: 1 2 3 4 5
Другое по теме:
Каналы связи и интерфейсы Тема контрольной работы по дисциплине "Информационные измерительные системы" "Каналы связи и интерфейсы". Появление ИИС обусловлено в первую очередь конкретными задачами производства и научных исследований, требующих получе ...