Таблица 2
Основные параметры ОУ для технологии
SGB
25
VD
(дБ) |
(Ггц) |
(В/мкс) |
(В/мкс) |
(мВ) |
(Ом) |
(В) |
(мА) |
38 | 2 | 900 | 425 | 400 | 50 |
| 5,5 |
Предварительно отметим, что возможность работать этого ОУ на низкоомную нагрузку и, следовательно, стандартную СВЧ линию позволяет совместить функцию фильтра и драйверного усилителя с заданным коэффициентом передачи. На рис. 2 приведены АЧХ и ФЧХ такого R-фильтра с коэффициентом передачи =30 дБ и добротностью
(кривые 1 и 2 соответственно). Здесь же для демонстрации эффективности действия контура компенсирующей обратной связи приведены аналогичные характеристики при
, когда
(кривые 3 и 4).
Совпадение частоты полюса звена при различных добротностях показывает также недоминирующее влияние вторых полюсов используемых ОУ на параметры ФНЧ. Эффективность использования частотных свойств ОУ видна также из сопоставления АЧХ R-фильтра и АЧХ масштабных усилителей (кривая 5). Анализ временных характеристик ФНЧ (Q=1) при гармоническом входном воздействии различных уровней (рис. 3) показывает, что длительность переходного процесса согласуется с линейной моделью фильтра, а максимальное выходное напряжение (вторая гармоника соответствует максимальному коэффициенту передачи фильтра) не менее 100 мВ.
Рис. 2. Частотные характеристики R-ФНЧ
при разных добротностях полюса и k02=30 дБ
Рис. 3. К определению максимального выходного напряжения
R-ФНЧ с Q=1
Как видно из соотношений (25), увеличение частоты полюса ФНЧ связано с уменьшением его коэффициента передачи в полосе пропускания. Результаты моделирования и сопоставительного исследования схемы (рис. 1) на базе экспериментального ОУ (табл. 1) приведены в табл. 3.
Таблица 3
Результаты моделирования звена
R
-фильтра
с собственной компенсацией
(дБ) |
(%) |
(МГц) |
(%) |
|
(%) |
(мВ) |
|
30 | 1,5 | 222 | 25 | 1,22 | 7,4 | 100 | 36 |
0 | 0 | 642 | 29,4 | 1,19 | 5 | 100 | 36 |
Примечание. |
Другое по теме:
Запираемые тиристоры и полевые транзисторы Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного тока электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителя ...