( 2 )
Глубина насыщения транзистора (коэффициент насыщения s) характеризуется отношением реального тока Iб к минимальному току базы, который требуется для насыщения:
( 3 )
Из (1) и (2) можно определить минимальное напряжение Uвх , которое требуется для насыщения, положив Iб = Iбн :
( 4 )
При подключении нагрузки к выходу ключа статические уровни выходного напряжения изменяются. В цифровых схемах ключ, как правило, нагружает входная цепь другого ключа такого же типа (или несколько одинаковых ключей), как показано на рис. 4. Такая нагрузка практически не влияет на режим насыщенного транзистора, так как входы внешних ключей при этом имеют потенциал, практически равный нулевому, транзисторы внешних ключей закрыты, входной ток в них отсутствует, составляющая тока нагрузки в анализируемом ключе тоже отсутствует.
Нагрузка, подключаемая по схеме рис.4, влияет на режим закрытого транзистора. В этом случае на выходе анализируемого ключа высокий уровень напряжения – внешние ключи открыты. Внешнюю цепь нагрузки можно заменить эквивалентным резистором нагрузки Rн, включенным между коллектором и эмиттером закрытого транзистора. Ток нагрузки (вытекающий из ключа), который протекает через резистор Rк, понижает уровень выходного напряжения в анализируемом ключе. Он теперь равен
( 5 )
Для интегральных логических элементов, в которых используются биполярные насыщенные транзисторы, характерна схема ключа (инвертора) с управляющим (коммутирующим) входным транзистором (рис.2). В элементах ТТЛ для расширения логических возможностей входной транзистор Т1 делается многоэмиттерным (в таком случае схема реализует логическую операцию И-НЕ).
Управляющее напряжение 
в ключе рис.2 однополярное (положительное). При условии, что напряжение есть выходное напряжение другого ключа такого же типа, оно может изменяться от 
до 
В ключе рис.2 в отличие от ключа рис.1 токи выходного транзистора Т2 в статических состояниях от напряжения практически не зависят.
При 
транзистор Т1 находится в насыщенном состоянии, т.к. оба его перехода смещены в прямом направлении (потенциал базы транзистора Т1 выше потенциала его эмиттера и коллектора, т.к. 
, а 
). Для насыщенного транзистора Т1 имеем 
, тогда 
<
, поэтому транзистор Т2 закрыт и 
Ток базы транзистора Т2 при этом отсутствует. Вытекающий ток 
замыкается через источник управляющего напряжения и задается резистором 
: Перейти на страницу: 1 2 3
Другое по теме:
Двоичный циклический код Хэмминга Для системы связи (СС) с переспросом с ожиданием ответа одностороннего действия (рис. 1) при заданных исходных данных: 1. Найти двоичный циклический (n,k)-код Хэмминга, который обеспечивает передачу сообщений в СС с вероятност ...